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        歡迎訪問UDE2022國際顯示展官網!距離展會開幕還有:-61天 2022-9-21深圳國際會展中心

        UDE小課堂

        【UDE顯博會|顯示展|小課堂】提高芯片發光強度與出光效率方法-芯片制造過程

        LED的亮度主要取決于外延方法和外延質量好壞,在芯片制造過程中采取不同的方法也可提高一些光強即提高外量子效率,但是程度有限?,F在使用最廣泛的方法是進行表面粗化工藝。粗化的原理是增加發光面積。該方法適用于黃,綠,普紅,普黃。等GaPa基材的外延片,另外紅外LED也可采用該方法。這種方法一般可以提高30%。

        目前通過工藝和結構上的改進可以提高芯片的出光效率,歸納起來有如下幾種有效方法:

        01
        透明襯底技術

        通常LED的襯底用GaAs材料,但GaAs是一種吸光材料,LED發出的光會被它吸收,降低出光效率。為此,在外延成PN結后,用腐蝕的方法GaAs襯底去除,然后在高溫條件下將能透光的GaP粘貼上去做襯底,使PN結射出光通過金屬底板反射出去,提高出光效率。
        這種方法在制作InGaAlP四元芯片時,在去除GaAs襯底后先用粘貼方法制作一層金屬鏡面反光層,然后再粘貼基板,這樣使射向襯底的光放射到出光面,使芯片出光效率提高。

        02
        芯片表面粗化法

        由于GaN的折射系數η1=2.3,與空氣折射系數η1=1相差較大,其余反射臨界角僅為25°,使大部分光不能逸出到空氣中去,出光效率較低。為此,通過改變GaN與空氣的介面的幾何形狀,使全反射臨界角增大,提高出光效率,這就是通過芯片表面粗化的方法來實現。
        圖片

        03
        芯片倒梯形結構

        當前行業有一芯片采用倒梯形結構后也提高了光強,如下圖。由于這種結構的芯片其邊緣部分的全反射臨界角增大,光子逸出率提高,并能從碗腔射出,提高光強和出光效率。

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